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平成１９年９月１日付で、
京都大学
特命准教授 に任命されました。
京都大学産官学連携センター／NEDO光集積ラボラトリー主催の第５回 分析・評価技術公開セミナー
（於:京都大学桂キャンパス） にて、「ナノフォトニクスに基づく光計測と発光デバイス」という演題で招待講演を行いました。 (8/8/2007)
研究テーマ 「プラズモニクスに基づく高輝度発光デバイスの開発」 が、科学技術振興機構の平成１８年度
戦略的創造研究推進事業 さきがけ
に採択されました。
詳細
(9/1/2006)
最近の論文
(Appl. Phys. Lett. 87, 161104, 2005)
が米国誌「サイエンス」の Editors' Choiceに選ばれました
(Science 310, 591, 2005)
。 (10/28/2005)
表面プラズモンを利用してInGaN/GaN系半導体の発光効率を著しく向上させることに始めて成功し、平成16年9月付の英国誌「ネイチャー・マテリアルズ」で発表しました。
(Nature Materials, Vol. 3, p. 601, 2004)
コンテンツ
岡本晃一の経歴
日本とカリフォルニアの時刻
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岡本晃一 博士（理学）
京都大学 特命准教授
科学技術振興機構 （JST）
戦略的創造研究推進事業
「物質と光作用」領域
さきがけ研究者
おもな研究場所
京都大学 工学研究科
・ 光材料物性工学分野
米国カリフォルニア工科大学
・ ナノ微細加工グループ
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